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臺美合作半導體研發大突破 邁向1奈米關鍵技術 榮登Nature

2021-05-15
科技部提供
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(示意圖/圖取自Unsplash)
(示意圖/圖取自Unsplash)

科技部產學大聯盟半導體研發大突破,臺大與台積電共同投入的超3奈米前瞻半導體技術研發,在新穎材料分項部分,與麻省理工學院(MIT)合作研究共同發表,首度提出利用「半金屬鉍(Bi)」作為二維材料的接觸電極,大幅降低電阻並提高電流,突破了二維材料原本的缺陷,使其效能幾與矽一致,有助實現未來1奈米以下、原子級電晶體願景,本項研究成果獲得刊登於國際頂尖學術期刊《Nature》的殊榮。

產學研發成果獲國際肯定 榮登頂尖期刊Nature
臺大-台積電產學大聯盟自102年開始推動,投入半導體前瞻技術研發,計畫成效相當豐碩,其中第一期計畫(102年至106年)累計81項專利申請(70件已獲證),培育碩博士生423位已有三分之二以上畢業,就業學生服務於產學研界,107年起執行第二期計畫已邁入第三年,研發成果專利申請計有39件(1件已獲證),所培育碩博士生畢業任職相關產業逾100位。整體計畫成果為台灣半導體產業在前瞻關鍵技術專利布局、新興科技人才培育的貢獻各界有目共睹。

本次由產學大聯盟計畫團隊臺大電機系暨光電所吳志毅教授、臺大光電所畢業的周昂昇博士與MIT畢業的沈品均博士共同合作研究,研發成果獲得刊登於《Nature》期刊的亮眼成績,是對產學合作研究團隊的高度肯定與鼓勵,這是場一流結合一流所產生的傑出產學合作研究成果。雖然目前相關技術還處於研究階段,但該成果能替下世代晶片提供省電、高速等絕佳條件,未來可望投入人工智慧、電動車、疾病預測等新興科技的應用中,民眾都能受惠。

科技部產學大聯盟 匯聚國內頂尖產學聚焦下世代前瞻技術研發
科技部致力推動基礎及應用科技研究,已累積深厚科研能量。協助業界有效運用學校創新研發能量,進而帶動產業之創新與競爭力,科技部自102年推動「產學大聯盟」計畫,透過業界出題、學界解題,鼓勵國內頂尖產學團隊結盟,聚焦下世代產業前瞻技術研發,讓我國優勢產業持續維持世界領先地位。

產學大聯盟吸引國內具產業代表性之業者台積電、聯發科、長春集團、廣達、中華電信、中鋼等參與,累計吸引業界投入研發經費25.89億元,研究領域涵蓋前瞻半導體、高值化鋼鐵製程、綠色化工、5G無線/寬網及先進行動通訊技術等。自102年至110年4月,累積研發成果衍生申請專利561件,共培育碩博士生3,483人次,促進畢業後投入相關領域業界1,210人,有416人直接任職合作企業。

其中,臺大-台積電團隊可說是產學大聯盟的模範生,自計畫推動起即合作投入「7-5nm半導體技術節點研究」,107年接續投入第二期「超3奈米前瞻半導體技術研究」,雙方合作邁入了第8年,科技部補助計畫研究經費達4.9億元,長期支持先進研發設備及研發人才培育等資金,不僅促進各面向半導體技術研究有長足的發展,更助臺大、台積電雙方建立優良穩固的產學合作模式與默契。

科技部持續鼓勵更多產學合作前瞻研發
台灣的產學合作研究發展在國際上已獲得良好的成績,實際研發成果及人才培育也助益產業開發出領先關鍵技術、獲得新興科技人才,是對我國產學合作發展階段性肯定。未來,科技部會持續投入資源,鼓勵更多傑出的產學合作研究發展,讓科研價值發揮最大化。

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